MR2A16ACYS35是由256Kx16組織的MRAM系列的4Mb產(chǎn)品。Everspin的4Mb MRAM MR2A16ACYS35可以與富士通4Mb 鐵電RAM MB85R4M2T較慢的時(shí)序一起運(yùn)行，但也允許系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員利用MRAM快四倍的隨機(jī)訪問(wèn)周期時(shí)間。Everspin 4Mb MRAM MR2A16ACYS35采用44引腳TSOP2和48球BGA封裝。everspin代理英尚微電子提供必要的技術(shù)支持等解決方案。
 
MR2A16ACYS35的優(yōu)點(diǎn)
與富士通鐵電存儲(chǔ)器相比，升級(jí)到Everspin MRAM具有許多優(yōu)勢(shì)：
•更快的隨機(jī)訪問(wèn)操作時(shí)間
•高可靠性和數(shù)據(jù)保留
•無(wú)限讀/寫耐久性
•無(wú)需擔(dān)心磨損
•有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格
•穩(wěn)定的制造供應(yīng)鏈
•小尺寸BGA封裝
 
封裝引腳
MR2A16ACYS35是一個(gè)4Mb非易失性MRAM，組織為256kx16，由標(biāo)稱3.3V電源供電，并與FRAM兼容。兩款產(chǎn)品均使用標(biāo)準(zhǔn)SRAM并行地址（A0-16）、字節(jié)寬雙向數(shù)據(jù)引腳（DQ0-7）和控制信號(hào)（/E、/W、/G）。每個(gè)都可以由一個(gè)公共定時(shí)接口支持，并將用作隨機(jī)存取讀/寫存儲(chǔ)器，在斷電時(shí)無(wú)需外部電池即可保留數(shù)據(jù)。Everspin不支持/ZZ睡眠功能。/ZZ可能需要上拉。
 

范圍	MB85R4M2TFN-G-JAE2	MR2A16ACYS35
封裝	44-Pin TSOP	44-Pin TSOP
尺寸和高度	10.16×18.41×1.2mm	10.16×18.41×1.2mm
引腳排列	參見(jiàn)下面的圖1
焊接曲線	根據(jù) JEDEC J-STD-020D.1

     
Everspin MRAM將提供最具成本效益的非易失性RAM解決方案。MR2A16ACYS35 MRAM使用更簡(jiǎn)單的1晶體管、1磁隧道結(jié)單元構(gòu)建。簡(jiǎn)單的Everspin MRAM單元可提高制造效率和可靠性。MRAM使用磁性隧道結(jié)技術(shù)進(jìn)行非易失性存儲(chǔ)。數(shù)據(jù)不會(huì)在高溫下泄漏，并且沒(méi)有磨損機(jī)制來(lái)限制該技術(shù)中的讀取、寫入或電源循環(huán)次數(shù)。在125℃下，數(shù)據(jù)保留時(shí)間優(yōu)于20年。


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本文關(guān)鍵詞： MRAM 鐵電RAM   

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