MRAM是一種利用電子自旋來存儲信息的存儲技術。MRAM具有成為通用存儲器的潛力，能夠將存儲存儲器的密度與SRAM的速度相結合，同時具有非易失性和節(jié)能性。MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運行，并且可以防篡改。這使得MRAM適用于汽車、工業(yè)、軍事和太空應用。
 
下面介紹一款Everspin非易失性256Kb串口mram存儲器MR25H256ACDF。
 
MR25H256ACDF是一個串口MRAM，內存陣列邏輯組織為32Kx8，使用串行外圍接口(SPI)的片選(CS)、串行輸入(SI)、串行輸出(SO)和串行時鐘(SCK)四個引腳接口公共汽車。串行MRAM實現(xiàn)了當今SPIEEPROM和閃存組件通用的命令子集，允許MRAM替換同一插槽中的這些組件并在共享SPI總線上進行互操作。與可用的串行存儲器替代品相比，串行MRAM提供卓越的寫入速度、無限的耐用性、低待機和操作功率以及更可靠的數(shù)據(jù)保留。MR25H256ACDF已發(fā)布量產(chǎn)，推薦用于所有新設計。關于更多產(chǎn)品信息可咨詢everspin代理，同時為客戶提供產(chǎn)品相關技術支持。
 
MR25H256ACDF特征
•無寫入延遲
•無限寫入耐久性
•數(shù)據(jù)保留超過20年
•斷電時自動數(shù)據(jù)保護
•塊寫保護
•快速、簡單的SPI接口，時鐘速率高達40MHz
•2.7至3.6伏電源范圍
•低電流睡眠模式
•工業(yè)和汽車1級和3級溫度
•提供8-DFN或8-DFNSmallFlagRoHS兼容封裝。
•直接替代串行EEPROM、閃存、FeRAM
•工業(yè)級和AEC-Q1001級和3級選項
•濕度敏感度MSL-3
 
電氣規(guī)格
該設備包含保護輸入免受高靜態(tài)電壓或電場損壞的電路；但是，建議采取正常預防措施，避免將任何高于最大額定電壓的電壓施加到這些高阻抗(Hi-Z)電路上。
 
該設備還包含對外部磁場的保護。應采取預防措施以避免施加比最大額定值中規(guī)定的磁場強度更強的任何磁場。
 
 
本文關鍵詞：MR25H256ACDF  

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