FRAM存儲(chǔ)器有哪些特點(diǎn)
2017-09-06 16:14:29
FRAM存儲(chǔ)器是集合了ROM和RAM兩種存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。擅長(zhǎng)于進(jìn)行高速寫入、具有長(zhǎng)的耐久力和低功耗。富士通半導(dǎo)體可提供采用串行（I2C和SPI）和并行外設(shè)的FRAM產(chǎn)品。 不同接口的產(chǎn)品各自都有哪些特點(diǎn)呢？
串行接口
串行接口存儲(chǔ)器的產(chǎn)品陣容有16Kbit至4Mbit的SPI接口產(chǎn)品，以及4Kbit至1Mbit的I2C接口產(chǎn)品。電源電壓除主要的3.3V工作產(chǎn)品外，正在擴(kuò)充1.8V工作產(chǎn)品。封裝除能夠與EEPROM及串行閃存兼容的SOP外，還提供可穿戴設(shè)備用SON（Small Outline Non-leadedpackage）及WL-CSP（Wafer Level Chip Size Package）等超小型封裝產(chǎn)品。
與其他非易失性存儲(chǔ)器相比，串行接口存儲(chǔ)器最大的優(yōu)勢(shì)是寫入快、讀寫耐久性高、功耗低。
*1 ：當(dāng)工作溫度低于+85℃時(shí)，數(shù)據(jù)保持時(shí)間可以延長(zhǎng)，詳細(xì)請(qǐng)參考數(shù)據(jù)手冊(cè)。
*1 ：當(dāng)工作溫度低于+85℃時(shí)，數(shù)據(jù)保持時(shí)間可以延長(zhǎng)，詳細(xì)請(qǐng)參考數(shù)據(jù)手冊(cè)。
*2 ：滿足SPI以及Quad SPI接口
*3 ：高速讀取模式時(shí)，可實(shí)現(xiàn)最大40MHz操作。
*4 ：有二進(jìn)制計(jì)數(shù)器功能
*5 ：雙SPI模式時(shí)，可實(shí)現(xiàn)最大7.5MHz操作。
并行接口存儲(chǔ)器
并行接口存儲(chǔ)器為采用TSOP或SOP封裝的256Kbit至4Mbit的產(chǎn)品，工作時(shí)的電源電壓為3.3V，但MB85R4M2T能夠在1.8V-3.6V的大范圍內(nèi)進(jìn)行工作。封裝方式為能夠與SRAM兼容的TSOP或SOP。
在SRAM及使用數(shù)據(jù)保持電池的應(yīng)用中，并行接口存儲(chǔ)器被作為進(jìn)一步降低能耗或減少電池的解決方案。
*1 ：當(dāng)工作溫度低于+55℃或+85℃時(shí)，數(shù)據(jù)保持時(shí)間可以延長(zhǎng)，詳細(xì)請(qǐng)參考數(shù)據(jù)手冊(cè)。
未來富士通還將通過技術(shù)來發(fā)來提高一些技術(shù)規(guī)格，如工作電壓和存取速度，并提供多種產(chǎn)品。富士通半導(dǎo)體能夠利用其它公司不能提供的富士通獨(dú)有技術(shù)，提供廣泛的單獨(dú)FRAM產(chǎn)品。
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