靈動(dòng)微低功耗MM32F003TW產(chǎn)品使用高性能的內(nèi)核ARM®Cortex®-M0的32位微控制器，其最高工作頻率可達(dá)48MHz，內(nèi)置高速存儲(chǔ)器，豐富的增強(qiáng)型I/O端口和外設(shè)連接到外部總線。MM32F003TW系列工作電壓為2.0V~5.5V，工作溫度范圍包含-40?C~+85?C常規(guī)型和-40?C~+105?C擴(kuò)展型。多種省電工作模式保證低功耗應(yīng)用的要求。MM32F003TW提供QFN20和TSSOP20共2種封裝形式。使得微控制器適合于多種應(yīng)用場(chǎng)合：電機(jī)驅(qū)動(dòng)和應(yīng)用控制，醫(yī)療和手持設(shè)備，PC游戲外設(shè)和GPS平臺(tái)，工業(yè)應(yīng)用：可編程控制器(PLC)、變頻器、打印機(jī)和掃描儀，警報(bào)系統(tǒng)、視頻對(duì)講、和暖氣通風(fēng)空調(diào)系統(tǒng)等。此款靈動(dòng)微MCU可完美替換意法半導(dǎo)體MCU型號(hào)STM8S003F3P6系列。靈動(dòng)微代理商提供樣品及開(kāi)發(fā)板測(cè)試.

MM32F003TW引腳封裝
   
MM32F003TW概述
•內(nèi)核與系統(tǒng)
–32位ARM®Cortex®-M0處理器內(nèi)核
–最高工作頻率可達(dá)48MHz
–單指令周期32位硬件乘法器
•存儲(chǔ)器
–高達(dá)16K字節(jié)的閃存程序存儲(chǔ)器
–高達(dá)2K字節(jié)的SRAM
–Bootloader支持片內(nèi)Flash
•時(shí)鐘、復(fù)位和電源管理
–2.0V~5.5V供電
–上電/斷電復(fù)位(POR/PDR)、可編程電壓監(jiān)測(cè)器(PVD)
–外部2~24MHz高速晶體振蕩器
–內(nèi)嵌經(jīng)出廠調(diào)校的48MHz高速振蕩器
–內(nèi)嵌40KHz低速振蕩器
•低功耗
–睡眠、停機(jī)和待機(jī)模式
•1個(gè)12位模數(shù)轉(zhuǎn)換器，1μS轉(zhuǎn)換時(shí)間(多達(dá)8個(gè)輸入通道)
–轉(zhuǎn)換范圍：0VDDA
–支持采樣時(shí)間和分辨率配置
–片上溫度傳感器
–片上電壓傳感器
•5通道DMA控制器
–支持的外設(shè)：Timer、UART、I2C、SPI和ADC
•多達(dá)16個(gè)快速I(mǎi)/O端口：
–所有I/O口可以映像到16個(gè)外部中斷
–所有端口均可輸入輸出5V信號(hào)
注:VDD=5V
•調(diào)試模式
–串行單線調(diào)試(SWD)
•多達(dá)9個(gè)定時(shí)器
–1個(gè)16位4通道高級(jí)控制定時(shí)器，有4通道PWM輸出，以及死區(qū)生成和緊
急停止功能
–1個(gè)16位定時(shí)器和1個(gè)32位定時(shí)器，有高達(dá)4個(gè)輸入捕獲/輸出比較，可用
于IR控制解碼
–2個(gè)16位定時(shí)器，有1個(gè)輸入捕獲/輸出比較和1個(gè)OCN，死區(qū)生成，緊急停
止，調(diào)制器門(mén)電路用于IR控制
–1個(gè)16位定時(shí)器，有1個(gè)輸入捕獲/輸出比較
–2個(gè)看門(mén)狗定時(shí)器(獨(dú)立的和窗口型的)
–1系統(tǒng)時(shí)間定時(shí)器：24位自減型計(jì)數(shù)器
•多達(dá)3個(gè)通信接口
–1個(gè)UART接口
–1個(gè)I2C接口
–1個(gè)SPI接口
•96位的芯片唯一ID(UID)
•采用QFN20和TSSOP20封裝
 

ARM的Cortex-M0核心并內(nèi)嵌閃存和SRAM
ARM®的Cortex®-M0處理器是最新一代的嵌入式ARM處理器，它為實(shí)現(xiàn)MCU的需要提供了低成本的平臺(tái)、縮減的引腳數(shù)目、降低的系統(tǒng)功耗，同時(shí)提供卓越的計(jì)算性能和先進(jìn)的中斷系統(tǒng)響應(yīng)。
 
ARM®的Cortex®-M0是32位的RISC處理器，提供額外的代碼效率，在通常8和16位系統(tǒng)的存儲(chǔ)空間上發(fā)揮了ARM內(nèi)核的高性能。本產(chǎn)品擁有內(nèi)置的ARM核心，因此它與所有的ARM工具和軟件兼容。
 
內(nèi)置閃存存儲(chǔ)器
最大16K字節(jié)的內(nèi)置閃存存儲(chǔ)器，用于存放程序和數(shù)據(jù)。
 
內(nèi)置SRAM
最大2K字節(jié)的內(nèi)置SRAM。
 
低功耗模式
產(chǎn)品支持低功耗模式，可以在要求低功耗、短啟動(dòng)時(shí)間和多種喚醒事件之間達(dá)到最佳的平衡。
 
睡眠模式
在睡眠模式，只有CPU停止，所有外設(shè)處于工作狀態(tài)并可在發(fā)生中斷/事件時(shí)喚醒CPU。
 
停機(jī)模式
在保持SRAM和寄存器內(nèi)容不丟失的情況下，停機(jī)模式可以達(dá)到最低的電能消耗。在停機(jī)模式下，HSI的振蕩器和HSE晶體振蕩器被關(guān)閉?？梢酝ㄟ^(guò)任一配置成EXTI的信號(hào)把微控制器從停機(jī)模式中喚醒，EXTI信號(hào)可以是16個(gè)外部I/O口之一、PVD的輸出的喚醒信號(hào)。
 
待機(jī)模式
待機(jī)模式可實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的最低功耗。該模式是在CPU深睡眠模式時(shí)關(guān)閉電壓調(diào)節(jié)器。內(nèi)部所有的1.5V部分的供電區(qū)域被斷開(kāi)。HSI和HSE振蕩器也都關(guān)閉,可以通過(guò)WKUP引腳的上升沿、NRST引腳的外部復(fù)位、IWDG復(fù)位喚醒或者看門(mén)狗定時(shí)器喚醒不復(fù)位。SRAM和寄存器的內(nèi)容將被丟失。


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