基于TMR和巨大隧穿磁阻效應(yīng)，總共衍生出兩代主要的MRAM器件類(lèi)型：第一代是磁場(chǎng)驅(qū)動(dòng)型MRAM，即通過(guò)電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)單元的磁矩進(jìn)行寫(xiě)入操作，典型代表有星型MRAM和嵌套型MRAM；第二代是電流驅(qū)動(dòng)型自旋轉(zhuǎn)移矩MRAM（STT-MRAM），即通過(guò)極化電流對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)入操作。

弗吉尼亞大學(xué)的研究人員開(kāi)發(fā)出的一種使用MRAM的短期和長(zhǎng)期存儲(chǔ)解決方案的技術(shù)。該器件使用旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)矩電流來(lái)改變每個(gè)存儲(chǔ)域的磁化強(qiáng)度，以實(shí)現(xiàn)更高的存儲(chǔ)位密度和更快的寫(xiě)入速度。這些存儲(chǔ)域沿著存儲(chǔ)線(xiàn)分配，并且在不施加電壓時(shí)，每個(gè)域附近的多鐵性元素可提供磁化穩(wěn)定性。


為了寫(xiě)入單個(gè)位，電流通過(guò)存儲(chǔ)線(xiàn)，并且多鐵性元件和自由層的相互作用確定層之間的反平行極性為“ 1”（高電阻），層之間的平行極性為“ 0” （低電阻）。然后，通過(guò)減小存儲(chǔ)線(xiàn)和多鐵性元件之間的交換偏壓來(lái)更改存儲(chǔ)域的磁化強(qiáng)度（請(qǐng)參見(jiàn)上圖）。存儲(chǔ)器域是可獨(dú)立寫(xiě)的，只需要一個(gè)電流輸入即可存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。這大大降低了能耗和寫(xiě)入周期所需的時(shí)間，從而提高了成本和性能效率。EVERSPIN在平面內(nèi)和垂直磁隧道結(jié)（MTJ）STT-MRAM位單元的開(kāi)發(fā)方面處于市場(chǎng)領(lǐng)先地位。在包括40nm，28nm及更高技術(shù)節(jié)點(diǎn)在內(nèi)的先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)上進(jìn)行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內(nèi)和垂直MTJ ST-MRAM生產(chǎn)。我司英尚微電子代理Everspin MRAM芯片。各種容量大小均可提供.

本文關(guān)鍵詞： MRAM

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