目前有數(shù)家芯片制造商,正致力于開發(fā)創(chuàng)新出名為STT-MRAM的新一代存儲器技術,然而這項技術仍存在其制造和測試等面向存在著諸多挑戰(zhàn).STT-MRAM（又稱自旋轉移轉矩MRAM技術）具有在單一元件中,結合數(shù)種常規(guī)存儲器的特性而獲得市場的高度重視.在多年來的發(fā)展中發(fā)現(xiàn),STT-MRAM具備了SRAM的速度與快閃存儲器的穩(wěn)定性與耐久性.STT-MRAM是透過電子自旋的磁性特性,在芯片中提供非揮發(fā)性儲存的功能.

STT-MRAM深受市場關注

盡管,STT-MRAM這項技術看起來雖然有其優(yōu)勢,卻也高度復雜,這就是為什么它的發(fā)展歷程遠比預期的時間還更長.包括三星、臺積電、英特爾、GlobalFoundries等,都正在持續(xù)開發(fā)STT-MRAM技術.盡管如此芯片制造商在其晶圓設備上面臨到一些挑戰(zhàn),例如必須改進現(xiàn)有的生產設備,并將其升級到支援28nm或22nm甚至更新的納米制程.


Everspin提供了市場上最可靠、高效能、且具成本效益的非揮發(fā)性隨機存取存儲器，以協(xié)助客戶開發(fā)獨特且極具競爭力的產品 。專業(yè)生產MRAM產品芯片,并提供應用解決方案.。

EVERSPIN MRAM芯片特性
•MRAM讀取/寫入周期時間：35ns；
•真正無限次擦除使用；
•業(yè)內最長的壽命和數(shù)據保存時間----超過20年的非揮發(fā)特性；
•單芯片最高容量為16Mb；
•快速、簡單接口----16位或8位并行SRAM、40MHz高速串行SPI接口；
•具有成本效益----簡單到只有一個晶體管、一個磁性穿隧結(1T-1MTJ)位單元；
•最佳等級的軟錯誤率----遠比其它內存優(yōu)異；
•可取代多種存儲器----集閃存、SRAM、EEPROM、nvRAM、以及BBSRAM的功能于一身；
•具備商業(yè)級、工業(yè)級、擴展級和汽車級的可選溫度范圍；
•符合RoHS規(guī)范：無電池、無鉛；
•小封裝：TSOP、VGA、DFN.

在生產過程中測試也將發(fā)揮關鍵的作用.STT-MRAM需要新的測試設備,用于測試其磁場狀況.除此之外還包括在生產流程中的不同位置,例如晶圓廠中的生產階段、測試平臺、或者后測試等,都需要更為嚴格的檢測流程.

STT-MRAM不止能夠高速運行,其特色在于即使電源關閉了也能保留數(shù)據,并且功耗也非常低.由于這些特性使得STT-MRAM十分適合應用于嵌入式存儲器市場,而包括PC、行動設備等儲存裝置,也都十分關注STT-MRAM的發(fā)展腳步.

即便如此挑戰(zhàn)仍然存在.當MRAM芯片在強磁場中運作時,MRAM測試就會產生新的狀況.在非磁性的儲存設備中,不必擔心這一點.然而對于MRAM來說,環(huán)境中的磁場就成了一個新的考量因素.通常在操作期間需要利用強磁場來干擾STT-MRAM,這是需要經過驗證并加以解決的問題.產業(yè)界目前正密切關注STT-MRAM,因為該儲存技術已經開始被嵌入式領域的客戶用于產品設計階段的導入.
 
本文關鍵詞： MRAM 

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