對于存儲器而言，重要的技術(shù)指標(biāo)無非就是速度、是否為非易失性、功耗、成本、體積、壽命等。前已經(jīng)有很多種類的產(chǎn)品做出了各種各樣的努力，但是始終只能偏重某一方面，而不是面面俱到。也許大家最為看重的是MRAM的非易失性，這的確是很誘人的，畢竟它讓使用MRAM內(nèi)存的電腦可以像電視或者收音機(jī)那樣能夠馬上啟動。除了MRAM，目前也有不少非易失性存儲器，其中包括大家最為熟悉的磁盤〔硬盤、軟盤）、Flash Memory(閃存）和EPROM。
 
作為內(nèi)存儲器，磁盤是絕對不行的，因為速度實在太慢了，盡管它的容量很大。至于FLASH Memory中極為流行的Compact Flash.Secure Disk和Memory Stick則在壽命上完全不能符合內(nèi)存儲器的要求。一般Flash Memory在經(jīng)過大約10000次讀寫周期以后就會報廢，而內(nèi)存儲器的讀寫是相當(dāng)頻繁而且無序的。要是強(qiáng)行將Flash Memory作為內(nèi)存儲器使用，那么也許滿負(fù)荷工作200個小時就報廢了。當(dāng)然閃存用于數(shù)碼相機(jī)、MP3播放機(jī)等信息家電產(chǎn)品還是很合適的。最后就是EPROM，也就是大家主板上BIOS塊。它具有較快的速度，但是體積和成本都是令人無法想象的，而且壽命也一般，更是不能用作內(nèi)存儲器。

 
MRAM工作的基本原理與硬盤驅(qū)動器類似，與在硬盤上存儲數(shù)據(jù)一樣，數(shù)據(jù)以磁性的方章為依據(jù)，存儲為0或1。它存儲的數(shù)據(jù)具有永久性，直到被外界的磁場影響，才會改變這個磁性數(shù)據(jù)。因為運用磁性存儲數(shù)據(jù)，所以MRAM在容童成本上有了很大的降低。
 
MRAM芯片與閃存都屬于小規(guī)格芯片,所占空間極小,存儲密度隨著集成技術(shù)工藝的發(fā)展而增加。集成技術(shù)工藝已從亞微米工藝進(jìn)入到納米工藝，因此MRAM存儲器的體積也越來越小,存儲密度必隨之增加。MRAM單元的功耗很低，存儲單元的工作電壓只有閃存EEPROM的十分之一左右,而且斷電后保存數(shù)據(jù)不需耗電。
 
與面前流行的DDR或是DDR2相比，MRAM的優(yōu)勢依然明顯。撇開令人垂涎欲滴的非易失性不談，僅在速度、功耗和體積上，MRAM也有較大的優(yōu)勢。

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