據(jù)韓國知名媒體報道，三星半導(dǎo)體公司現(xiàn)在已經(jīng)研發(fā)出了世界上第一顆基于10nm FinFET工藝的SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機存取存儲器。其實IBM半導(dǎo)體聯(lián)盟在今年7月份的時候就創(chuàng)造出了世界上第一個10nm的晶圓，但是由于10nm工藝的技術(shù)難題，很多半導(dǎo)體廠家都相繼推遲了它們的10nm工藝的計劃。

                                                  

       現(xiàn)在的SRAM大多數(shù)都是用于CPU的緩存，并且基于10nm的SRAM相比于14nm工藝而言，它的面積能夠減少30%左右，這就意味著可以一定程度的降低CPU的功耗與CPU發(fā)熱，同時能夠以更小的面積塞進更多緩存，能夠很有效的提高CPU的性能。
       就現(xiàn)在各家的10nm進展而言，IBM公司的商用10nm工藝最快也要到2018年的時候才會正式面世，Intel公司的10nm也已經(jīng)計劃推遲到2017年發(fā)布，臺積電方面則是宣布將在2017年第一季度量產(chǎn)10nm的CPU，而且根據(jù)三星公司現(xiàn)在的計劃與進展，10nm的量產(chǎn)CPU最快將會在2016年底實現(xiàn)，也許Galaxy S8還能趕上10nm SoC的首發(fā)也說不準。