Everspin 16位并口并行MRAM存儲芯片MR4A16BCMA35
2018-05-21 11:33:18
Everspin MR4A16BCMA35 16Mb并行MRAM具有兼容SRAM的35ns讀/寫周期，并擁有出色耐久性。Everspin MR4A16BCMA35為1024字 x16位的16,777,216位磁阻隨機存取存儲器 (MRAM)。
Everspin MR4A16BCMA35由1,048,576字 x 16位構(gòu)成。對于這款并行MRAM來說，數(shù)據(jù)保持期長達20年以上而不會丟失，并會在掉電時由低壓抑制電路自動提供保護，以防止在非工作電壓期間寫入。并行MRAM是大多數(shù)手機 、 移動設備、膝上機、PC等數(shù)字產(chǎn)品的存儲器的潛在替代產(chǎn)品。從MRAM芯片技術(shù)的特性上來看，可以預計它將能解決包括計算機或手機啟動慢、數(shù)據(jù)丟失、數(shù)據(jù)裝載緩慢、電池壽命短等問題，明顯改變消費者使用電子沒備的方式。
并行MRAM特性
+3.3V電源
35 ns快速讀/寫周期
SRAM兼容時序
出色的耐讀/寫能力
在工作溫度范圍內(nèi)數(shù)據(jù)保持期長達20年以上而不會丟失
符合RoHS標準的小外形BGA和TSOP封裝
并行mram優(yōu)勢
一個存儲器即可替代系統(tǒng)中的閃存、SRAM、EEPROM和BBSRAM，獲得更簡單、高效的設計
替代電池供電的SRAM，提高可靠性
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