問題1：什么是DRAM、
SRAM、SDRAM？
答：名詞解釋如下
DRAM--------動態(tài)隨即存取器，需要不斷的刷新，才能保存數(shù)據(jù)，而且是行列地址復用的，許多都有頁模式
SRAM--------靜態(tài)的隨機存儲器，加電情況下，不需要刷新，數(shù)據(jù)不會丟失，而且一般不是行列地址復用的
SDRAM-------同步的DRAM，即數(shù)據(jù)的讀寫需要時鐘來同步
問題2：為什么DRAM要刷新，SRAM則不需要？
答：這是由RAM的設計類型決定的，DRAM用了一個T和一個RC電路，導致電容會漏電和緩慢放電，所以需要經(jīng)常刷新來保存數(shù)據(jù)
問題3：我們通常所說的內(nèi)存用的是什么呢？這三個產(chǎn)品跟我們實際使用有什么關系？
答：內(nèi)存（即隨機存貯器RAM）可分為靜態(tài)隨機存儲器SRAM，和動態(tài)隨機存儲器DRAM兩種。我們經(jīng)常說的“內(nèi)存”是指DRAM。而SRAM大家卻接觸的很少。
問題4：為什么使用DRAM比較多、而使用SRAM卻很少？
答：1）因為制造相同容量的SRAM比DRAM的成本高的多，正因為如此，才使其發(fā)展受到了限制。因此目前SRAM基本上只用于CPU內(nèi)部的一級緩存以及內(nèi)置的二級緩存。僅有少量的網(wǎng)絡服務器以及路由器上能夠使用SRAM。
2）存儲單元結(jié)構(gòu)不同導致了容量的不同：一個DRAM存儲單元大約需要一個晶體管和一個電容（不包括行讀出放大器等），而一個SRAM存儲單元大約需要六個晶體管。DRAM和SDRAM由于實現(xiàn)工藝問題，容量較SRAM大，但是讀寫速度不如SRAM。
問題5：用得最多的DRAM有什么特點呢？它的工藝是什么情況？（通常所說的內(nèi)存就是DRAM）
答：1）DRAM需要進行周期性的刷新操作，我們不應將SRAM與只讀存儲器（ROM）和Flash Memory相混淆，因為SRAM是一種易失性存儲器，它只有在電源保持連續(xù)供應的情況下才能夠保持數(shù)據(jù)。“隨機訪問”是指存儲器的內(nèi)容可以以任何順序訪問，而不管前一次訪問的是哪一個位置。
2）DRAM和SDRAM由于實現(xiàn)工藝問題，容量較SRAM大。但是讀寫速度不如SRAM，但是現(xiàn)在，SDRAM的速度也已經(jīng)很快了，時鐘好像已經(jīng)有150兆的了。那么就是讀寫周期小于10ns了。
3）SDRAM雖然工作頻率高，但是實際吞吐率要打折扣。以PC133為例，它的時鐘周期是7.5ns，當CAS latency=2 時，它需要12個周期完成8個突發(fā)讀操作，10個周期完成8個突發(fā)寫操作。不過，如果以交替方式訪問Bank，SDRAM可以在每個周期完成一個讀寫操作（當然除去刷新操作）。
4）其實現(xiàn)在的主流高速存儲器是SSRAM（同步SRAM）和SDRAM（同步DRAM）。目前可以方便買到的SSRAM最大容量是8Mb/片，最大工作速度是166MHz；可以方便買到的SDRAM最大容量是128Mb/片，最大工作速度是133MHz。
問題6：用得比較少但速度很快，通常用于服務器cache的SRAM有什么特點呢？
答：1）SRAM是靜態(tài)的，DRAM或SDRAM是動態(tài)的，靜態(tài)的是用的雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器來保存信息，而動態(tài)的是用電子，要不時的刷新來保持。SRAM是Static Random Access Memory的縮寫，中文含義為靜態(tài)隨機訪問存儲器，它是一種類型的半導體存儲器。“靜態(tài)”是指只要不掉電，存儲在SRAM中的數(shù)據(jù)就不會丟失。
2）SRAM其實是一種非常重要的存儲器，它的用途廣泛。SRAM的速度非常快，在快速讀取和刷新時能夠保持數(shù)據(jù)完整性。SRAM內(nèi)部采用的是雙穩(wěn)態(tài)電路的形式來存儲數(shù)據(jù)。所以SRAM的電路結(jié)構(gòu)非常復雜。
3）從晶體管的類型分，SRAM可以分為雙極性與CMOS兩種。從功能上分，SRAM可以分為異步SRAM和同步SRAM（SSRAM）。異步SRAM的訪問獨立于時鐘，數(shù)據(jù)輸入和輸出都由地址的變化控制。同步SRAM的所有訪問都在時鐘的上升/下降沿啟動。地址、數(shù)據(jù)輸入和其它控制信號均于時鐘信號相關。
最后要說明的一點：
SRAM不應該與SDRAM相混淆，SDRAM代表的是同步DRAM（Synchronous DRAM），這與SRAM是完全不同的。SRAM也不應該與PSRAM相混淆，PSRAM是一種偽裝成SRAM的DRAM。
