快速異步型SRAM，存取時間為35ns（或更短）的異步型SRAM可被歸類為“快速”異步型SRAM。這些存儲器通常應用于老式系統(tǒng)中，且功耗較高。其典型應用包括老式PC L2高速緩沖存儲器、高速暫存器以及工業(yè)應用中的緩沖存儲器。
 
偉凌創(chuàng)芯4Mbit異步快速SRAM芯片EMI504WF16VA-10I是4Mbit異步快速SRAM芯片，位寬為256K*16K字。它使用16條公共輸入和輸出線，并有一個輸出使能引腳，其運行速度比讀取周期中的地址訪問時間快。采用先進的CMOS工藝、基于6-TR的單元技術制造，專為高速電路設計技術。它特別適用于高密度高速系統(tǒng)應用。代理商英尚國際支持提供樣品測試及必要的FAE技術支持。
 
特征
快速訪問時間8ns、10ns、12ns。
•CMOS低功耗待機
•單3.3±0.3V,5.0±0.5V電源
•電源范圍廣：1.65V~3.6V。
•TTL兼容輸入和輸出
•完全靜態(tài)操作。
•三個狀態(tài)輸出。
•數(shù)據(jù)字節(jié)控制（x8,x16模式）。
•標準44TSOP2封裝。
•工業(yè)操作溫度。
 
封裝引腳配置
   
安徽偉凌創(chuàng)芯微電子是一家以市場為導向的無晶圓半導體公司。專注SRAM存儲、顯示驅動，接口轉換芯片設計、生產及銷售。為行業(yè)客戶提供高品質、低成本，供貨持續(xù)穩(wěn)定的自主知識產權的集成電路產品，產品領域涵蓋智能感知、網絡可視化、信息化、信息安全、大數(shù)據(jù)分析、智能語音、應用展現(xiàn)、特種通信和智能建筑等

本文關鍵詞：EMI504WF16VA-10I,SRAM

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