中國四大重要集成電路產(chǎn)業(yè)聚落持續(xù)擴(kuò)充對晶圓廠的投資布局，預(yù)計新廠產(chǎn)能將會在2018年底不斷開出。拓墣產(chǎn)業(yè)研究院認(rèn)為，2018年底中國廠商的12寸晶圓每月總產(chǎn)能將達(dá)36．2萬片，是現(xiàn)在產(chǎn)能的1.8倍，到時中國廠商產(chǎn)能占全球12吋晶圓產(chǎn)能比重將上升到6．3％。
      在非存儲器（晶圓代工／IDM） 12吋晶圓產(chǎn)能部分，現(xiàn)在主要有4家中國廠釋出新增產(chǎn)能的訊息。
    （1）中芯于上海規(guī)劃新增月產(chǎn)能7萬片的14～7nm產(chǎn)能，深圳新增4萬片的65～55nm產(chǎn)能。
    （2）華力微于上海規(guī)劃新增4萬片的28～14nm產(chǎn)能。
    （3）德科瑪在淮安規(guī)劃2萬片CIS產(chǎn)能。
    （4）紫光計劃在成都興建12寸廠。
     由于自28nm制程起始，晶圓廠必須使用難度較高的多重曝光技術(shù)（Multiple Patterning），是先進(jìn)制程的基本條件，連帶牽動先進(jìn)制程（28nm以下）的發(fā)展進(jìn)程，2016年底中芯28nm營收占比僅有3．5％，顯示其制程良率的控制能力穩(wěn)定性依舊不足，將會影響28nm以下制程進(jìn)度，2018年底中芯14nm非常有可能會處于試產(chǎn)狀態(tài)。
      而華力微新廠在2016年底動工，所以就算發(fā)展順利，也要2018下半年才能夠進(jìn)入試產(chǎn)。而紫光雖透露出興建12寸廠消息，但還沒有詳細(xì)動工時間，估計2018年尚不會有產(chǎn)能釋出。
                                                      

       因此2018年中國企業(yè)規(guī)劃的新增產(chǎn)能目標(biāo)將可能難以實(shí)現(xiàn)，預(yù)期下修到7.2萬片，其中中國廠商的先進(jìn)制程（28nm含以下）產(chǎn)能約1．2萬片，占新增產(chǎn)能近17％，預(yù)計2018年中國自主非存儲器產(chǎn)能將占全球非存儲器產(chǎn)能比重約6．7％。
      存儲器部分，共有4座新廠進(jìn)行投產(chǎn)。
    （1）晉華以25nm制程為目標(biāo)計劃12萬片DRAM產(chǎn)能。
    （2）長江存儲于武漢規(guī)劃新建3D NAND晶圓廠，預(yù)計于2020年達(dá)到月產(chǎn)能30萬片。
    （3）長鑫科技于合肥計劃月產(chǎn)能達(dá)12．5萬片存儲器芯片產(chǎn)能。
    （4）紫光將于南京建立月產(chǎn)能10萬片的晶圓廠，主要生產(chǎn)存儲芯片。
      從晶圓廠開工到進(jìn)行試產(chǎn)一般需要18個月的時間，實(shí)際量產(chǎn)時間則是各企業(yè)的技術(shù)能力及量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)而定，除了紫光尚未釋出實(shí)際建廠進(jìn)度外，晉華在2016年底開始動土，2018下半年才有可能進(jìn)行試產(chǎn)，除此之外，25nm需用浸潤式曝光機(jī)（ArF－immersion）和雙重曝光技術(shù)（Double Patterning），制程難度大大提高，將影響實(shí)際產(chǎn)能開出的進(jìn)度。
    而長鑫的新廠動土?xí)r間計劃在2017下半年開始，估計2018年底尚不會有產(chǎn)能開出。
    長江存儲則正計劃發(fā)展32層垂直堆疊的3D－NAND，估計2018年底將可問世，估計總產(chǎn)能將達(dá)到約50000片。
    因此2018年中國廠商規(guī)劃的新增產(chǎn)能或?qū)㈦y以達(dá)成，預(yù)期下修至9萬片，估計2018年中國自主存儲器產(chǎn)能將占全球存儲器產(chǎn)能比重約4．4％。

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